Eine vollkommene neue Speichertechnik haben die Chiphersteller Intel und Micron jetzt vorgestellt. Dabei soll handelt es sich um einen nicht flüchtigen Speicher, der ohne die herkömmlichen Transistoren auskommt und bis zu 1000 mal schneller als SSD Flash Speicher sein soll.
Quelle Intel / Micron
Intel nennt die neue Speichertechnologie (Crosspoint). Welche Materialverbindungen genau hinter der Technologie stecken bleibt vorerst noch ein Geheimnis. Der neue Speicher soll aus dreidimensionalen im Lot verlaufenden Leiterbahnen bestehen die wiederum an Ihren Schnittstellen die Speicherzellen mit einander verbinden. In der jetzigen Entwicklungsstufe sind dabei 128 Milliarden einzelne Speicherzellen möglich. Jede Speicherzelle ist ein Bit groß und kann jeweils einzeln adressiert werden, was den Lese und Schreibzugriff erhöht. Bis dato werden Bits in blockweise adressiert und verarbeitet.
Quelle Intel / Micron
Bei herkömmlichen schnellen SSD-Harddrives erfolgt ein Datenzugriff mit einer Verzögerung von ca. 30 Mikrosekunden, bei der 3D-XPoint Technologie laut Intel in sagenhaften 30 Nanosekunden. Die neuen Speicher sollen nicht nur bis zu 1000 mal schneller sein, sondern sich auch 1000 mal öfters beschreiben lassen als herkömmliche NAND Flashspeicher. Die Datendichte soll die des DRAMs um das 8- bis 10 fache übertreffen.
Nicht nur, dass sich mit der neuen Technologie herkömmlicher DRAM Arbeitsspeicher um ein vielfaches vergrößern liese, sie könnte theoretisch das geltende System Arbeitsspeicher und Festplattenspeicher ganz ersetzen, der Zugriff auf die von der CPU zu verarbeitenden Daten könnte direkt über den schnellen Festplattenspeicher erfolgen.
Im ersten Schritt sollen Kunden von Intel und Micron die neuen Speicher zu Testzwecken erhalten. Wann die 3D XPoint Technologie dann für den Endkunden erhältlich ist, ist noch völlig offen.